“芯片股吊車尾”Wolfspeed(WOLF.US)盤前暴漲超25% ! 喜獲15億美元資金援助

碳化硅(SiC)芯片制造巨頭Wolfspeed股票在獲得《芯片法案》和阿波羅資產(chǎn)管理公司共計高達15億美元的資金援助后,其股價在美股盤前一度暴漲超25%。

智通財經(jīng)APP獲悉,股價長期萎靡的碳化硅(SiC)芯片制造巨頭Wolfspeed(WOLF.US)在獲得美國《芯片法案》以及阿波羅資產(chǎn)管理公司等資管機構(gòu)共計高達15億美元的資金援助后,其股價在美股盤前一度暴漲超25%。

聚焦于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)芯片的Wolfspeed,其產(chǎn)品廣泛應用于電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備和通信等行業(yè)。但是,美聯(lián)儲加息周期之下的電動汽車需求萎靡以及Wolfspeed一系列自身制造系統(tǒng)問題影響芯片產(chǎn)能,Wolfspeed股價自2022年10月以來持續(xù)暴跌,與自那以來的美股牛市行情可謂格格不入,在這期間股票表現(xiàn)持續(xù)位列美股芯片板塊倒數(shù)第一,堪稱推動美股長牛核心力量——芯片板塊的“吊車尾”。

據(jù)了解,在拜登-哈里斯政府宣布計劃向這家電動汽車芯片制造商提供高達7.5億美元的直接資金,以支持美國碳化硅芯片制造業(yè)的擴張。美國商務部和Wolfspeed已簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT),根據(jù)美國《芯片和科學法案》為Wolfspeed在美國北卡羅來納州的芯片工廠擴張?zhí)峁┵Y金支持。

根據(jù)修訂和重申后的雙方契約,PMT內(nèi)容包括Wolfspeed通過發(fā)行優(yōu)先票據(jù)分三批籌集總額高達7.5億美元債務融資的相關(guān)義務。

此外,由另類資管巨頭阿波羅全球資產(chǎn)管理、Baupost集團、Fidelity Management & Research 以及Capital Group等美國大型資管機構(gòu)共同牽頭的投資基金財團已同意向Wolfspeed提供額外的7.5億美元新融資支持。

Wolfspeed 還希望根據(jù)美國《芯片法案》(第48D條)從先進制造業(yè)稅收抵免中獲得高達10億美元的現(xiàn)金退稅,使公司總共獲得高達25億美元的預期資本支持,幫助這家陷入經(jīng)營困境電動汽車碳化硅芯片巨頭脫離困境。

據(jù)媒體報道稱,這些擬議的資金預計將在未來幾年取得一些里程碑式的成就后全面收到款項,這將使這家電動汽車芯片公司能夠完成其數(shù)十億美元的美國綠地產(chǎn)能擴張計劃,其中包括世界上最大規(guī)模、制造規(guī)模最先進的200毫米碳化硅芯片足跡。

該公司在一份聲明中表示,這項數(shù)十億美元的投資將支撐Wolfspeed的資產(chǎn)負債表,并將通過現(xiàn)金生成和加速其長期盈利目標來推動顯著增長。

美國《芯片法案》所提供的龐大資金支持,旨在增加美國國內(nèi)的半導體產(chǎn)業(yè)制造以及研究進程,特別是在最先進的半導體制造領(lǐng)域,其中包括英特爾(INTC.US)、SK海力士、三星電子、臺積電(TSM.US)、美光科技(MU.US)和德州儀器(TXN.US)在內(nèi)的多家半導體巨頭正在根據(jù)該法案獲得資金支持。

為何美國政府以及大型資管機構(gòu)選擇支持陷入困境的Wolfspeed?

有分析人士在最新的Wolfspeed新聞動態(tài)公布后表示,美國政府以及阿波羅等財團為長期陷入經(jīng)營困境的Wolfspeed提供流動性支持的核心邏輯,可能在于他們都看好碳化硅(SiC)芯片這一全新賽道,而Wolfspeed在該賽道擁有足夠的人才、平臺資源和研發(fā)投入,持續(xù)聚焦于電動汽車SiC和GaN材料芯片制造。

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)屬于突破性的寬帶隙(WBG)半導體材料,它們的禁帶寬度比傳統(tǒng)的硅更大。這使得它們能夠在高電壓、高頻率和高溫環(huán)境下運行,而能量損耗卻遠低于硅基器件。具體來說,電動汽車中的SiC功率器件的開關(guān)損耗和導通損耗顯著降低,這種機制在電動汽車的逆變器和電機驅(qū)動系統(tǒng)中非常關(guān)鍵,因為它能有效減少電力轉(zhuǎn)換過程中因熱損耗而浪費的能量。

SiC和GaN材料的耐高溫性能也比普通的硅片強很多,能夠在200°C甚至更高的溫度下穩(wěn)定工作,而傳統(tǒng)硅基功率器件的工作溫度一般在150°C左右。電動汽車的功率電子設(shè)備往往在高功率條件下產(chǎn)生大量熱量,使用這些寬帶隙材料可以減少對散熱系統(tǒng)的依賴,簡化散熱設(shè)計,并提升系統(tǒng)的可靠性和耐久性。

更加重要的是,由于功率轉(zhuǎn)換效率提高,使用SiC和GaN材料的電動汽車核心芯片在能源利用方面更加高效,這直接轉(zhuǎn)化為電動汽車更長的續(xù)航里程;通過減少能量損耗,更多的電力可以用于驅(qū)動電動機,從而延長電動汽車每次充電后的行駛距離。

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