平安證券：高帶寬特性釋放AI硬件性能 AI高景氣持續(xù)驅動需求高增

智通財經APP獲悉，平安證券發(fā)布研報稱，當前AI算力持續(xù)高景氣背景下，HBM作為AI硬件、系統(tǒng)提升算力性能的重要內存技術，市場需求呈現強勁增長態(tài)勢。另外，根據美光數據，同一節(jié)點/容量條件下，HBM3e的產能消耗是DDR5三倍，同時考慮到TSV、MR-MUF等先進封裝技術對半導體設備、材料、封測環(huán)節(jié)的高標準要求，以及當前原廠積極擴產計劃，相關產業(yè)鏈有望持續(xù)受益。

半導體材料方面，建議關注雅克科技(002409.SZ)、聯瑞新材(688300.SH)、華海誠科(688535.SH)；半導體設備方面，建議關注精智達(688627.SH)、賽騰股份(603283.SH)、長川科技(300604.SZ)；封測端則建議關注通富微電(002156.SZ)、深科技(000021.SZ)；同時建議關注SK海力士重要經銷商香農芯創(chuàng)(300475.SZ)。

平安證券主要觀點如下：

高帶寬特性釋放AI硬件性能，HBM成為AI時代首選內存技術

平安證券指出，當前諸如GPT-3等AI大模型所要求的算力日益提升，伴隨著的是參數數量呈現指數級增長，傳統(tǒng)的內存帶寬及傳輸速率限制了AI硬件以及系統(tǒng)的最大性能，相較于傳統(tǒng)DDR內存，HBM具有高帶寬、低功耗、低延時等優(yōu)勢，已成為當前高性能計算、人工智能等領域的首選內存技術。當前HBM產品已經發(fā)展至第五代HBM3e，內存帶寬相較上一代提升47%至1.2TB/s，堆疊層數最高可達12層，對應最高容量達36GB，當前三大原廠均已入局并在24H1陸續(xù)出貨，考慮到HBM需求的火爆程度，SK海力士還計劃提前一年在2025年發(fā)布HBM4。

三大原廠持續(xù)擴充HBM產能，SK海力士位居全球市場份額首位

當前AI高景氣不斷驅動HBM需求高增，持續(xù)推動HBM位元出貨量和產值同步增長，根據Yole預測數據，預計2025年全球HBM位元出貨量和行業(yè)產值將分別達到17億GB和199億美元。競爭格局方面，根據TrendForce數據，以位元出貨量作為統(tǒng)計口徑，2023年全球HBM市場中，SK海力士和三星的市場份額各占47.5%左右，而美光份額約為5%。隨著HBM3e的率先推出及放量，預計2024年SK海力士的市場份額將增加至52.5%，而三星的市場份額將下降至42.4%。

為了滿足持續(xù)增長的HBM需求，三大原廠紛紛加大資本開支擴建HBM產能，其中，三星和SK海力士的產能擴充最為積極，預計到2024年底，三星HBM總產能將達約13萬片/月，SK海力士約12萬片/月，而美光僅為2萬片/月。

TSV為HBM核心制備工藝，混合鍵合將成未來主流堆疊技術

HBM主要采用TSV技術將多個DRAM芯片進行垂直堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高位寬的DDR組合陣列，從而克服單一封裝內的帶寬限制。在加工制造過程中，TSV是HBM實現芯片垂直堆疊的核心制備工藝，占封裝成本達30%。而從當前原廠采用的封裝技術來看，三星主要采用TC-NCF技術，而SK海力士則通過Advanced MR-MUF技術并結合改良EMC材料來進行HBM的封裝生產，在改善散熱方面具有明顯優(yōu)勢。

考慮到未來因帶寬、容量增長所帶來的堆疊層數及密度提升，SK海力士將利用混合鍵合技術來加工生產HBM4。混合鍵合摒棄了無凸塊設計并采用直接銅對銅的連接方式，相較微凸塊技術，能夠在進一步提升互聯密度的同時實現功耗降低，有望成為未來HBM主流堆疊技術。

風險提示：國產化替代不及預期風險；國內廠商對先進技術的研發(fā)進程不及預期風險；供應鏈風險上升。