港股異動(dòng) | 宏光半導(dǎo)體(06908)午后飆升近200% GaN技術(shù)持續(xù)突破 公司正發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)GaN新業(yè)務(wù)

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，宏光半導(dǎo)體(06908)午后飆升近200%，截至發(fā)稿，漲177.11%，報(bào)1.15港元，成交額6918.97萬(wàn)港元。

消息面上，9月11日，英飛凌宣布已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)12英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。相較于8英寸，12英寸晶圓芯片數(shù)量增加了2.3倍，效率顯著提高。由于GaN和硅的制造工藝十分相似，12英寸GaN技術(shù)可利用現(xiàn)有的12英寸硅制造設(shè)備，在現(xiàn)有硅生產(chǎn)線(xiàn)適合試產(chǎn)，最終使得GaN與硅的成本能夠持平。根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，2030年全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望增至44億美元，23-30年CAGR達(dá)49%。

據(jù)悉，宏光半導(dǎo)體在2024年上半年業(yè)績(jī)報(bào)告中表示，集團(tuán)聚焦發(fā)展第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，旨在為客戶(hù)提供在能源效益上更高效率及競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。過(guò)去一年，宏光半導(dǎo)體的團(tuán)隊(duì)竭力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)GaN新業(yè)務(wù)，加強(qiáng)核心設(shè)備及各項(xiàng)研發(fā)和生產(chǎn)配套，包括提升位于中國(guó)江蘇省徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的半導(dǎo)體工廠(chǎng)。目前，本集團(tuán)已在徐州廠(chǎng)房?jī)?nèi)安裝兩條用作生產(chǎn)包括GaN相關(guān)產(chǎn)品的外延片生產(chǎn)線(xiàn)，并已經(jīng)完成設(shè)備安裝和生產(chǎn)調(diào)試，具備外延片生產(chǎn)條件。而早前從歐洲和日本引入的核心機(jī)器經(jīng)已運(yùn)抵徐州廠(chǎng)房，并已準(zhǔn)備就緒制造迎合市場(chǎng)需要的芯片。