美光科技(MU.US)FY24Q3業(yè)績會：數(shù)據(jù)中心板塊的增長將繼續(xù)發(fā)揮積極影響 這個進程將持續(xù)到25年早期

智通財經(jīng)APP獲悉，存儲芯片廠商美光科技(MU.US)2024財年第三季度總營收68.11億美元，同比增長81.5%，略好于市場預期;同期實現(xiàn)凈利潤3.32億美元。在近期業(yè)績會上，公司預計Q4毛利率增加6pcts，主要受定價環(huán)境和產(chǎn)品組合推動，比如HBM和高容量DIMM。預計FY25價格會繼續(xù)上行，產(chǎn)品組合會繼續(xù)發(fā)揮積極影響，尤其是數(shù)據(jù)中心板塊的增長，今年年末將會出現(xiàn)手機和PC的換機周期，然后是AI終端推動內(nèi)容量提升，這個進程會從CY24H2持續(xù)到25年早期。

展望24年，CY24DRAM、NAND位元需求增長10%，中長期DRAM增速mid-10%，NAND增速high10%。供給方面，預計CY24按行業(yè)供給低于需求，HBM產(chǎn)能增長將積壓非HBM產(chǎn)品攻擊增長，HBM3E的晶圓消耗量是DDR5的3倍(同一節(jié)點、同一容量條件下);HBM4該比例將更高，美光FY24位元供給增長將低于需求增速;公司預計FY24晶圓產(chǎn)能將比FY22的峰值下降10%，公司將利用現(xiàn)有庫存推動FY25的部分位元增長。

公司表示，HBM CAGR未來幾年將大于50%;隨著公司未來增加HBM組合，HBM對公司業(yè)績、利潤率將有積極影響。公司目前2025年的產(chǎn)能已經(jīng)售罄，且定價已經(jīng)鎖定，這對于公司實現(xiàn)既定目標有利，公司預期25年某個時刻能夠達到DRAM份額。公司正在與更廣泛的客群接觸，明年計劃向更多客戶發(fā)貨，但同時，由于HBM的復雜度，資格認證也會更復雜，但公司在客戶那邊實現(xiàn)了與競爭對手相比低30%的功耗表現(xiàn)，這體現(xiàn)出公司的基數(shù)優(yōu)勢。

Q&A

Q：公司HBM3E進度?是否有望獲得新的客戶或在英偉達獲得更多產(chǎn)品定點?競爭對手提到縮短HBM開發(fā)周期，公司有什么看法?

A：公司本季度獲得1億美元以上HBM收入，F(xiàn)Y24預計獲得數(shù)億美元收入，F(xiàn)Y25獲得數(shù)十億美元收入。公司目前的重心在于提高產(chǎn)量和良率，目標在25年某個時候達到與DRAM接近的市場份額;客戶普遍認為公司HBM3E的功耗比競爭對手低30%，公司正在和其他客戶做資格認證，目標在25年擴大客群，HBM4和HBM4E方面，公司對路線圖和領(lǐng)導力充滿信心。

Q：公司NAND位元需求增速指引較上季度下修，原因是什么?

A：主要是基準年的變化，這次的基準年是2023年，2023年NAND的位元出貨量基數(shù)較高。數(shù)據(jù)中心SSD會是一個很好的需求驅(qū)動力，數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)的CAGR會大于平均CAGR，PC、手機、消費電子較慢，但仍有增長，AIPC和AI手機將會是驅(qū)動力。公司強調(diào)CAGR是因為這是擴產(chǎn)規(guī)劃的重要指標，公司會保持審慎原則，并高度關(guān)注供需平衡和投資回報率。

Q：HBM3E3倍消耗量到25年依然成立嗎?12層會有什么影響?

A：對于HBM3E，3倍是一個有效的指標，這取決于HBM3E的封裝、更大的芯片，3倍即使在成熟的良率水平也依舊成立，良率提升主要帶來的是成本下行。HBM4同理，在成熟良率下，這個指標會大于HBM3E的3倍;12層HBM3E則與8層一樣是3倍。

Q：FY25毛利率的影響因素?

A：公司不會提供FY25的具體指引。

公司預計Q4毛利率增加6pcts，主要受定價環(huán)境和產(chǎn)品組合推動，比如HBM和高容量DIMM。公司預計FY25價格會繼續(xù)上行，產(chǎn)品組合會繼續(xù)發(fā)揮積極影響，尤其是數(shù)據(jù)中心板塊的增長，今年年末將會出現(xiàn)手機和PC的換機周期，然后是AI終端推動內(nèi)容量提升，這個進程會從CY24H2持續(xù)到25年早期。供給方面，現(xiàn)在市場產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性處于低位，庫存呈下降趨勢，庫存會持續(xù)減少至FY25，HBM也會消耗更多晶圓，產(chǎn)品組合上也有順風。

Q：公司目前的HBM產(chǎn)能情況?公司對下半年和25年的盈利表現(xiàn)有何看法，尤其是大部分HBM訂單價格鎖定的可見度?

A：HBM這個季度收入1億美元，全年數(shù)億美元，F(xiàn)Y25數(shù)十億美元，F(xiàn)Y25某個時候份額將達到DRAM水平，這些假設(shè)都是基于現(xiàn)有HBM產(chǎn)能，公司會繼續(xù)努力提高產(chǎn)能。盈利方面，DRAM利潤率高于公司利潤率，NAND利潤率是拖累公司整體表現(xiàn)的逆風。

Q：FY25Capex的預計數(shù)額?如何考慮FY25或CY25的位元供給增速?

A：公司不會對FY25的收入或資本支出做出具體指引，但公司預期會同比增長。公司預計FQ4Capex從FQ3的21億美元增至30億美元，之后幾個季度環(huán)比增幅會收窄，但支出水平會增加。庫存方面，預計FY25年底達到目標庫存水平。

Q：HBM份額目標取決于哪些因素?公司如何制定目標的?

A：HBMCAGR未來幾年將大于50%;隨著公司未來增加HBM組合，HBM對公司業(yè)績、利潤率將有積極影響。公司目前2025年的產(chǎn)能已經(jīng)售罄，且定價已經(jīng)鎖定，這對于公司實現(xiàn)既定目標有利，公司預期25年某個時刻能夠達到DRAM份額。公司正在與更廣泛的客群接觸，明年計劃向更多客戶發(fā)貨，但同時，由于HBM的復雜度，資格認證也會更復雜，但公司在客戶那邊實現(xiàn)了與競爭對手相比低30%的功耗表現(xiàn)，這體現(xiàn)出公司的基數(shù)優(yōu)勢。

Q：公司明年大部分資本支出將用于綠地和HBM，剩余部分在DRAM和NAND如何分配?公司對NAND資本密集度的展望

A：公司Capex以DRAM為主，尤其是HBM，HBM對潔凈室的要求、對封裝、測試設(shè)備的要求，體現(xiàn)出其資本密集型的特點，因此公司支出以此為主。NAND支出只占總支出的一部分，公司在NAND方面有技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)品組合優(yōu)勢，公司在CAPEX上會保持自律性。放緩節(jié)點轉(zhuǎn)變是有積極意義的，這樣可以更好地管理位元增速并獲得價格收益。

綜上，NAND資本支出明顯較小，公司保持自律性，根據(jù)需求管理供給增量，NAND的技術(shù)轉(zhuǎn)型已經(jīng)可以滿足需求，這意味著不需要新的潔凈室、綠地項目，這與DRAM和HBM有所不同。

Q：考慮到定價順風，為什么還要簽訂HBM長協(xié)?

A：長協(xié)有助于維護客戶關(guān)系，這不僅關(guān)于供給和定價，還包括技術(shù)路線圖、產(chǎn)品路線圖和交付時間，25年公司將獲得可觀收入，這都與現(xiàn)有合同有關(guān)，此外，公司盈利能力也會受益于這些長協(xié)合同。

Q：臺灣地震對下季度有影響嗎?

A：沒有。

Q：服務(wù)器SSD現(xiàn)在占公司NAND占比約20%-25%，這對毛利率有什么影響?公司是否會將第五代SSD用于AI場景?

A：數(shù)據(jù)中心SSD將推動NAND整體的利潤表現(xiàn)，公司232層NANDAISSD出貨量增長三倍，完全面向AI數(shù)據(jù)中心場景，公司擁有廣泛的客戶群，并致力于與客戶合作以進一步擴大份額，公司數(shù)據(jù)中心ssd收入環(huán)比增長50%。

第五代SSD還不會披露具體細節(jié)，但從增長的可持續(xù)性看，公司會依靠強大的產(chǎn)品組合，推動數(shù)據(jù)中心SSD的增長。